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Si2399DS-T1-VB 产品详细

产品简介:

### Si2399DS-T1-VB 产品简介

Si2399DS-T1-VB 是 VBsemi 公司提供的 P-Channel MOSFET,具有-20V 的最大漏极-源极电压(Vds)和-4A 的最大连续漏极电流(Id)。该型号 MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))在不同栅极电压(Vgs)下表现出优异的性能:在 Vgs=2.5V 时为 80 mΩ,在 Vgs=4.5V 时为 65 mΩ,在 Vgs=10V 时为 60 mΩ。其栅极阈值电压(Vth)为-0.81V,具有较低的开启电压,能够高效地在较低电压下驱动。该 MOSFET 封装为 SOT23-3,适用于紧凑的电路设计需求。

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产品参数:

### Si2399DS-T1-VB 详细参数说明

- **品牌**: VBsemi
- **类型**: P-Channel MOSFET
- **最大漏极-源极电压(Vds)**: -20V
- **最大连续漏极电流(Id)**: -4A
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- @Vgs=2.5V: 80 mΩ
- @Vgs=4.5V: 65 mΩ
- @Vgs=10V: 60 mΩ
- **最大栅极-源极电压(Vgs)**: 12V
- **栅极阈值电压(Vth)**: -0.81V
- **封装类型**: SOT23-3

领域和模块应用:

### 适用领域和模块

Si2399DS-T1-VB P-Channel MOSFET 具有良好的性能和适用性,适用于多种应用场景。以下是几个具体的应用领域和模块示例:

1. **电源管理模块**: 该 MOSFET 可用于低压 DC-DC 转换器和功率开关,提供高效的电源管理解决方案。在智能手机、平板计算机等便携式设备中,Si2399DS-T1-VB 可以实现电源的高效转换和节能管理。

2. **电池保护电路**: 在锂离子电池保护电路中,该 MOSFET 能够实现快速回应和精确控制,保护电池免受过充和过放的损害,提高电池的安全性和使用寿命。

3. **LED 驱动器**: 由于其低导通电阻和低功耗特性,Si2399DS-T1-VB 可用作 LED 驱动电路中的开关元件,提供稳定的电流输出和精确的亮度调节功能,适用于照明和显示应用。

4. **电机控制器**: 在小型电机控制器中,该 MOSFET 可以作为高效的电机开关,用于控制电机的启动、停止和转向,适用于家用电器、机器人等领域。

Si2399DS-T1-VB 具有高性能和多功能性,能够满足不同领域和模块的需求,为电子设备的设计和制造提供可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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