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SI2351DS-T1-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介:

SI2351DS-T1-VB是VBsemi生产的P-Channel沟道MOSFET。该器件设计用于负压应用,具有-20V的最大工作电压和-4A的最大电流。其导通电阻在不同的门源电压下分别为80mΩ(@VGS=2.5V)、65mΩ(@VGS=4.5V)和60mΩ(@VGS=10V)。门源电压为12V,阈值电压为-0.81V。封装形式为SOT23-3。

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产品参数:

二、详细参数说明:

- 品牌:VBsemi
- 型号:SI2351DS-T1-VB
- 沟道类型:P-Channel
- 最大工作电压:-20V
- 最大电流:-4A
- 导通电阻:80mΩ @VGS=2.5V、65mΩ @VGS=4.5V、60mΩ @VGS=10V
- 门源电压:12V
- 阈值电压:-0.81V
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

三、应用领域举例:

1. 电池管理系统:适用于移动设备和电动车等电池管理系统中的充电和放电保护模块,可提高电池的安全性和寿命。
2. 电源开关控制:作为负压场效应管,可用于DC-DC转换器、充电器和逆变器等电源管理和开关控制模块中,实现高效能耗控制。
3. 电机驱动:用于马达和电动机的开关控制,例如小型家电、汽车电动机等,可实现精准的驱动控制和节能效果。
4. LED照明控制:适用于LED照明系统中的开关控制,可实现灯光亮度调节和节能管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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