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KIA3423-VB 产品详细

产品简介:

### KIA3423-VB 产品简介

#### 一、产品简介

KIA3423-VB是由VBsemi公司生产的一款P沟道MOSFET,具有-20V的漏极-源极电压(VDS)和-4A的漏极电流(ID)额定值。其特点是低导通电阻(RDS(ON)),在不同栅极-源极电压(VGS)下分别为80mΩ(VGS=2.5V)、65mΩ(VGS=4.5V)和60mΩ(VGS=10V)。阈值电压(Vth)为-0.81V,封装类型为SOT23-3。该器件适用于各种低压、高效率的开关电路,广泛用于电源管理、电池保护、负载开关等领域。

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产品参数:

### 二、详细参数说明

1. **电压和电流额定值**
- **沟道类型**: P沟道
- **最大漏极-源极电压(VDS)**: -20V
- **最大漏极电流(ID)**: -4A

2. **导通电阻(RDS(ON))**
- **VGS=2.5V时**: 80mΩ
- **VGS=4.5V时**: 65mΩ
- **VGS=10V时**: 60mΩ

3. **栅极-源极电压(VGS)**
- **最大栅极-源极电压(VGS)**: 12V
- **阈值电压(Vth)**: -0.81V

4. **封装类型**
- **封装**: SOT23-3

领域和模块应用:

### 三、适用领域和模块说明

#### 1. **电源管理模块**
KIA3423-VB MOSFET适用于各种电源管理模块,如DC-DC转换器和开关电源。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高电源转换效率。

#### 2. **电池保护电路**
在电池保护电路中,该器件可用于控制电池充放电过程。其低阈值电压和高效开关特性使其在电池保护电路中表现出色。

#### 3. **负载开关**
KIA3423-VB适用于各种负载开关应用,如电机驱动和LED控制。其P沟道特性使其能够高效地控制大电流负载。

#### 4. **低压逻辑电平转换**
在低压逻辑电平转换电路中,该器件可以作为电平转换开关元件。其低阈值电压和高效开关特性使其能够可靠地工作在低电压逻辑电路中。

通过以上示例,可以看出KIA3423-VB适用于各种低压、高效率的开关电路中,是现代电子设备中的重要组成部分之一。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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