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HY03P20-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介:

VBsemi的HY03P20-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,适用于负压电路。其工作电压为-20V,最大电流为-4A。具有低导通电阻,@VGS=2.5V时为80mΩ,@VGS=4.5V时为65mΩ,@VGS=10V时为60mΩ。门源电压为12V,阈值电压为-0.81V。封装采用SOT23-3。

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产品参数:

二、详细参数说明:

- 品牌:VBsemi
- 型号:HY03P20-VB
- 沟道类型:P-Channel
- 最大工作电压:-20V
- 最大电流:-4A
- 导通电阻:80mΩ @VGS=2.5V、65mΩ @VGS=4.5V、60mΩ @VGS=10V
- 门源电压:12V
- 阈值电压:-0.81V
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

三、应用领域举例:

1. 电源管理模块:由于该MOSFET具有负压特性和低导通电阻,适用于负压开关电源的输出端,能有效控制电源输出。
2. 电池保护模块:在移动设备和电动车等电池供电系统中,可用于充电和放电保护,以提高电池寿命和安全性。
3. DC-DC转换器:作为开关管,用于DC-DC转换器中的反激拓扑或降压拓扑,实现电压转换和功率调节。
4. 负载开关:用于电路中的负载开关,例如LED照明控制、电机驱动等领域,以实现高效的开关控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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