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FDN306P-VB 产品详细

产品简介:

### 一、产品简介

**产品型号**: FDN306P-VB
**品牌**: VBsemi

FDN306P-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度,适用于各种电源管理和负载开关应用。其SOT23-3封装使其在空间受限的应用中尤为出色,特别适用于便携式和小型电子设备。

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产品参数:

### 二、详细参数说明

- **类型**: P沟道MOSFET
- **最大漏源电压 (VDS)**: -20V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: -4A
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS = -2.5V
- 65mΩ @ VGS = -4.5V
- 60mΩ @ VGS = -10V
- **最大栅源电压 (VGS)**: 12V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -0.81V
- **封装**: SOT23-3

领域和模块应用:

### 三、应用领域和模块举例

FDN306P-VB的高性能和紧凑封装使其在多个领域和模块中得以广泛应用:

1. **电源管理模块**:
- **DC-DC转换器**:低导通电阻和高开关速度使其在高效DC-DC转换器中表现优异,减少功率损耗并提高转换效率。
- **电池管理系统**:在便携设备中用于电池保护和充放电控制,以保证电池的安全和延长寿命。

2. **负载开关**:
- **电源分配开关**:用于切换和控制不同电路的电源通断,保证设备在不同工作模式下的稳定运行。
- **便携式设备开关**:在智能手机、平板计算机等便携式设备中,用于控制显示屏、摄像头等模块的电源。

3. **信号控制模块**:
- **信号调理电路**:作为开关元件,用于切换和调节信号路径,保证信号的准确传输和处理。
- **模拟开关**:在音频设备中用于信号选择和路由,以实现高保真音频信号的传输和切换。

通过这些应用示例,可以看出FDN306P-VB在各种电子设备中发挥了重要作用,特别是在需要高效开关和低功耗的场合中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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