推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

FDN302P-VB 产品详细

产品简介:

### 产品简介

FDN302P-VB是一款由VBsemi推出的P沟道MOSFET,具有出色的电性能和稳定性。该器件在-20V的电压下能够提供高达4A的连续电流,适用于多种电源管理和开关应用。其低导通电阻(RDS(ON))确保了高效的电流传输和低功耗,特别适用于需要高效和可靠的电源解决方案的场合。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

### 详细参数说明

- **型号**: FDN302P-VB
- **品牌**: VBsemi
- **极性**: P-Channel
- **最大电压 (VDS)**: -20V
- **最大电流 (ID)**: -4A
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS=2.5V
- 65mΩ @ VGS=4.5V
- 60mΩ @ VGS=10V
- **栅极电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.81V
- **封装**: SOT23-3

领域和模块应用:

### 适用领域和模块

FDN302P-VB MOSFET广泛应用于以下领域和模块:

1. **电源管理模块**: 该器件可用于DC-DC转换器和电源开关,以提高系统的能效和稳定性。
2. **电池保护电路**: 由于其低导通电阻和高电流承载能力,非常适合用于锂电池组的保护电路,确保安全可靠的电流管理。
3. **负载开关**: 在消费电子产品中,如笔记本计算机和平板计算机,该MOSFET用于控制各种外围设备的电源开关,提升设备的续航能力。
4. **便携式设备**: 适用于智能手机、移动电源等便携设备中的电源分配和管理模块,提供高效的电能传输。

FDN302P-VB凭借其优异的电性能和小巧的封装,非常适合于需要高效、低损耗电源管理的各种应用场合。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询