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K1215-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
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**VB1240 (K1215-VB) N沟道场效应晶体管**

- **电压:** 20V
- **电流:** 6A
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- **阈值电压 (Vth):** 0.45~1V

**封装:** SOT23-3

**应用简介:**
VB1240是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管,适用于高性能电路设计。

**领域和模块应用:**

1. **电源管理模块:** 用于电源开关和调节电路,提高电源效率。

2. **驱动电路:** 在需要高性能驱动的场景中,如电机驱动和LED驱动等,提供可靠的性能。

3. **电池保护:** 适用于便携设备和电池供电系统,可保护电池免受过流和过压的损害。

4. **电源开关模块:** 在开关电源、DC-DC转换器等电源开关应用中发挥作用。

请注意,具体的应用取决于电路设计和系统要求。在集成VB1240时,请参考产品手册和数据表,进行详细的电路设计和参数调整。

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