产品视频

您现在的位置 > 首页 > 产品视频
WNM2027-3-TR-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
**WNM2027-3-TR-VB 详细参数说明与应用简介:**

- **丝印:** VB1240
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23-3
- 沟道类型:N—Channel
- 最大耐压:20V
- 最大电流:6A
- 静态导通电阻:24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压:0.45~1V

**应用简介:**
WNM2027-3-TR-VB 是一款 SOT23-3 封装的 N-Channel 沟道场效应晶体管,具有 20V 的最大耐压、低导通电阻等特性,适用于多种应用场景。以下是该产品可能的应用领域:

1. **电源管理模块:** 由于其 N-Channel 特性和较低的导通电阻,WNM2027-3-TR-VB 可用于电源管理模块,实现高效的电源开关控制。

2. **电流控制模块:** 作为电流控制元件,适用于需要高效能电流控制的电路中,确保电流的准确调节。

3. **DC-DC 变换器:** 可应用于 DC-DC 变换器中,用于电能转换与电压调节,提高能量利用效率。

4. **电机驱动模块:** 在电机驱动电路中,WNM2027-3-TR-VB 可用于控制电机的启停和速度调节。

**使用注意事项:**
1. **电压极性:** WNM2027-3-TR-VB 为 N-Channel 沟道晶体管,使用时需注意其负载开关的电压极性。

2. **电流与功耗:** 在设计中需确保不超过 WNM2027-3-TR-VB 的最大电流和功耗,以避免过载损坏。

3. **封装热设计:** 在高功率应用中,需合理设计散热方案,确保晶体管工作在安全的温度范围内。

4. **阈值电压:** 在设计中应注意阈值电压的范围,确保在给定工作条件下能够正常导通。

以上为 WNM2027-3-TR-VB 的基本参数、应用简介以及使用注意事项,具体应用时需根据实际电路设计要求进行详细验证。

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询