**VBsemi SM2326NSAN-VB**

- **丝印：** VB1240
- **品牌：** VBsemi
- **参数：** SOT23-3；N—Channel沟道, 20V；6A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V, VGS=8V；Vth=0.45~1V；
- **封装：** SOT23-3

**详细参数说明：**
- **型号：** SM2326NSAN-VB
- **封装类型：** SOT23-3
- **沟道类型：** N-Channel
- **最大电压：** 20V
- **最大电流：** 6A
- **开关电阻：** RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- **阈值电压：** Vth = 0.45~1V

**应用简介：**
SM2326NSAN-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于SOT23-3封装。其主要特点包括20V的最大电压承受能力、6A的最大电流容限、低的开关电阻（RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V）以及0.45~1V的阈值电压。

**领域和模块应用：**
1. **电源管理模块：** 由于其高电压和电流容限，SM2326NSAN-VB可以在电源管理模块中广泛应用，用于开关电源和稳压器。

2. **驱动模块：** 作为N-Channel沟道晶体管，可用于电机驱动、LED驱动等模块，提供高效的电流控制。

3. **电源逆变器：** 适用于构建电源逆变器，将直流电源转换为交流电源，常见于太阳能逆变器等领域。

4. **汽车电子：** 在汽车电子模块中，可用于电源管理、驱动控制等应用，因其小型SOT23-3封装适合紧凑空间。

请注意，具体的应用取决于产品的电特性和性能，建议在实际设计中参考官方数据手册和应用指南。