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HITK0201MP-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
**VBsemi HITK0201MP-VB**

- **丝印:** VB1240
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23-3
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:20V
- 额定电流:6A
- 静态导通电阻:RDS(ON) = 24mΩ @ VGS = 4.5V, VGS = 8V
- 閘極閾值電壓(Vth):0.45~1V

- **封装:** SOT23-3

### 详细参数说明:

**电气特性:**
- **额定电压(VDS):** 20V
- **额定电流(ID):** 6A
- **静态导通电阻(RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS = 4.5V, VGS = 8V
- **閘極閾值電壓(Vth):** 0.45~1V

**封装特性:**
- **封装类型:** SOT23-3

### 应用简介:

VBsemi HITK0201MP-VB是一款N-Channel沟道的SOT23-3封装场效应晶体管,适用于多种低电压、高电流的应用场景。以下是它的主要特性和适用领域:

### 应用领域:

1. **电源模块:** HITK0201MP-VB可用于电源模块,包括DC-DC转换器、稳压器和开关电源等。

2. **电池管理:** 由于其低导通电阻和高电流特性,可用于电池管理系统,如电池充放电控制。

3. **LED驱动:** 在LED照明应用中,可用于LED驱动模块,提供有效的电流控制。

4. **汽车电子:** 适用于汽车电子领域,如汽车电源管理、照明控制等。

### 注意事项:

- 在应用中,请根据厂商提供的数据手册和规格书确保正确的使用参数。
- 需要根据具体的电路要求采取合适的散热措施,确保器件在工作时保持适当的温度。

以上信息仅供参考,具体的设计和应用需根据您的实际需求和具体应用场景来确定。

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