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DMN2075UW-7-F-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
DMN2075UW-7-F-VB 丝印:VB1240 品牌:VBsemi

**详细参数说明:**

- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:20V
- 额定电流:6A
- RDS(ON):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 閘極閾值電壓(Vth):0.45~1V

**应用简介:**

DMN2075UW-7-F-VB 是一款 N-Channel 类型的 SOT23-3 封装场效应晶体管。其特点包括 20V 的额定电压,6A 的额定电流,以及低导通电阻(RDS(ON))等。适用于各种要求高性能和高效率的电子应用。

**领域应用:**

1. **电源管理模块:** 由于 DMN2075UW-7-F-VB 具有低导通电阻和高电流特性,可用于电源管理模块,提高功率转换效率。

2. **电机驱动:** 作为 N-Channel 场效应晶体管,适用于电机驱动模块,如直流电机控制、步进电机控制等,以提供可靠的电流控制。

3. **电源开关模块:** 适用于电源开关模块,作为开关器件,可实现高效率的电源开关控制。

4. **LED 驱动:** 用于 LED 驱动电路,以实现对 LED 灯的电流控制,确保照明系统的稳定性和高效性。

请注意,具体的应用可能会因设计要求和环境而有所不同。在使用该器件时,请参考厂商提供的数据手册和应用指南,以确保正确使用并满足特定设计的要求。

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