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MTNK3N3-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
MTNK3N3-VB 丝印:VB1240 品牌:VBsemi

**详细参数说明:**

- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:20V
- 额定电流:6A
- RDS(ON):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 閘極閾值電壓(Vth):0.45~1V

**应用简介:**

MTNK3N3-VB是一款N-Channel类型的SOT23-3封装场效应晶体管。其主要特性包括20V的额定电压,6A的额定电流,以及低导通电阻(RDS(ON))等。适用于高性能电子应用。

**领域应用:**

1. **电源管理模块:** 由于MTNK3N3-VB具有较低的导通电阻和适中的电压电流参数,可用于电源管理模块,提高功率转换效率。

2. **电机驱动:** 作为N-Channel场效应晶体管,可用于电机驱动模块,例如直流电机控制、步进电机控制等,以提供可靠的电流控制。

3. **LED照明:** 适用于LED照明应用,可以作为电流调节器或电源开关,确保LED驱动电路的高效性和稳定性。

4. **电源开关模块:** 由于其高电流和低导通电阻,可用于电源开关模块,实现高效率的电源开关控制。

请注意,具体的应用可能会因设计要求和环境而有所不同。在使用该器件时,请参考厂商提供的数据手册和应用指南,以确保正确使用并满足特定设计的要求。

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