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PMV170UN-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
PMV170UN-VB 丝印:VB1240 品牌:VBsemi

**详细参数说明:**

- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:20V
- 额定电流:6A
- RDS(ON):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 閘極閾值電壓(Vth):0.45~1V

**应用简介:**

PMV170UN-VB是一款N-Channel类型的SOT23-3封装场效应晶体管。其主要特性包括20V的额定电压,6A的额定电流,以及低导通电阻(RDS(ON))等。适用于要求高性能的电路设计。

**领域应用:**

1. **电源管理模块:** 由于PMV170UN-VB具有较低的导通电阻和适中的电压电流参数,可用于电源管理模块,提高效率并减小功耗。

2. **驱动模块:** 作为N-Channel场效应晶体管,可用于电路中的驱动模块,如电机驱动、LED驱动等,以提供可靠的电流控制。

3. **电流控制模块:** 由于其低阻态时的导通电阻,适用于需要电流控制的电路模块,如电流源、电源开关等。

请注意,具体的应用可能会因设计要求和环境而有所不同。在使用该器件时,请参考厂商提供的数据手册和应用指南,以确保正确使用并满足特定设计的要求。

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