**RQK0204TGDQATL-E-VB**

- **丝印：** VB1240
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：SOT23-3
- 沟道类型：N-Channel
- 额定电压：20V
- 额定电流：6A
- 开态电阻：RDS(ON) = 24mΩ @ VGS = 4.5V, VGS = 8V
- 阈值电压：Vth = 0.45~1V

**应用简介：**
RQK0204TGDQATL-E-VB 是一款 N-Channel 沟道功率 MOSFET，采用 SOT23-3 封装。具有低开态电阻和适中的电压和电流额定值，适用于多种电源和开关应用。

**应用领域：**
1. **电源模块：** 适用于轻型电源模块设计，提供有效的功率转换。

2. **LED 驱动器：** 由于其低阈值电压和适中的电流能力，可用于 LED 驱动器电路。

3. **电池保护：** 在便携式电子设备中，可用于电池保护回路，确保电池的安全运行。

4. **电机控制：** 在小型电机控制模块中，提供可靠的电流开关。

**注意：** 在具体应用前，请仔细查阅相关的数据手册和规格说明，确保该器件符合特定应用的要求。