型号: MTB55N03KSN3-VB

**详细参数说明:**
- 丝印: VB1330
- 品牌: VBsemi
- 参数:
- 类型: N—Channel沟道
- 额定电压: 30V
- 额定电流: 6.5A
- 导通电阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.2~2.2V

**封装:**
- 封装类型: SOT23-3

**应用简介:**
MTB55N03KSN3-VB 是一款适用于多种电子应用的 N—Channel 沟道 MOSFET。以下是该产品的主要应用领域和对应的模块：

1. **电源模块:**
- 用于电源开关、DC-DC 变换器和调节模块，提供高效的功率控制。

2. **驱动模块:**
- 适用于电机控制、照明系统等需要高效电流和电压控制的驱动模块。

3. **逆变器:**
- 在太阳能逆变器和其他电源逆变器中发挥关键作用，确保高效的能量转换。

4. **电池保护模块:**
- 用于设计电池管理系统，提供对电池的安全和有效的管理。

MTB55N03KSN3-VB 的高性能和可靠性使其成为各种电子设备中功率控制和管理的理想选择。