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K3000-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
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**K3000-VB**

- **丝印:** VB1330
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23-3
- 沟道类型:N—Channel
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- 开通电阻:RDS(ON) = 30mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V
- 阈值电压:Vth = 1.2~2.2V

- **应用简介:**
- **领域:** 电源管理、电源适配器、工业控制等。
- **模块应用:** 适用于SOT23-3封装的电路板和模块设计,特别在需要N沟道场效应晶体管的场景。

**详细参数说明:**
K3000-VB是一款N—Channel沟道场效应晶体管,专为电源管理、电源适配器和工业控制等领域设计。其采用SOT23-3封装,额定电压为30V,额定电流为6.5A,具有低开通电阻(RDS(ON) = 30mΩ),在不同电压(VGS=10V、VGS=20V)下表现优异。阈值电压(Vth)在1.2~2.2V范围内,提供了设计的灵活性。

这款场效应晶体管适用于需要N沟道场效应晶体管的电源管理和工业控制电路。其可靠的性能和SOT23-3封装使其成为电子工程师在小型电路板和模块设计中的理想选择。

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