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AFN2318S23RG-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
**详细参数:**
- 丝印: VB1330
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT23-3
- 类型: N-Channel 沟道
- 额定电压(VDS): 30V
- 额定电流(ID): 6.5A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)): 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): 1.2~2.2V

**应用简介:**
AFN2318S23RG-VB是一款N沟道场效应晶体管,适用于多种领域和模块,包括但不限于以下方面:

1. **电源模块:** 由于其较高的额定电压和电流,可在电源模块中用于稳定和调节电压。

2. **电流控制模块:** 通过其低漏电阻和可调的阈值电压,适用于电流控制模块,实现精确的电流控制。

3. **开关电源:** 在开关电源中,可用于开关调节,提高电源转换效率。

4. **电流放大器:** 由于其N沟道结构,适用于电流放大器电路,用于信号放大应用。

请根据具体的系统设计要求选择器件,并确保其符合特定应用的电气和性能规格。

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