STS3116E-VB 丝印: VB1330 品牌: VBsemi

参数:
- 封装: SOT23-3
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 30V
- 额定电流: 6.5A
- RDS(ON): 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: 1.2~2.2V

应用简介:
STS3116E-VB是一款N-Channel沟道功率MOSFET，采用SOT23-3封装。具有30V的额定电压和6.5A的额定电流。在VGS=10V和VGS=20V时，RDS(ON)为30mΩ。阈值电压范围为1.2~2.2V。

应用领域:
该产品适用于多个领域，包括但不限于：
1. 电源管理模块
2. DC-DC转换器
3. 电流控制和电流限制电路
4. 电机驱动控制
5. 电源开关

STS3116E-VB可广泛用于需要高性能N-Channel MOSFET的电子设备和电路中。