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DMN3200U-7-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
详细参数说明:
- 产品型号: DMN3200U-7-VB
- 丝印:VB1330
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23-3
- 类型:N—Channel沟道
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- 开态电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V

应用简介:
DMN3200U-7-VB是一款N沟道场效应晶体管,采用SOT23-3封装,适用于多种电子设备和模块的应用。具有30V的额定电压、6.5A的额定电流,以及低开态电阻,可在各种电路中实现高性能功率开关控制。

应用领域:
1. **电源管理模块:** 适用于电源开关、电源逆变器等模块,实现高效率的电源管理。
2. **电流控制模块:** 可用于电流控制回路,确保电流在设定范围内稳定工作。
3. **电机驱动模块:** 在电机驱动电路中,提供可靠的功率开关控制。
4. **LED照明控制:** 用于LED照明驱动电路,实现亮度调节和开关控制。

DMN3200U-7-VB在这些领域中能够充分发挥其高性能特点,确保电路稳定、高效运行。

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