**VBsemi MI3400A-VB**

- **丝印：** VB1330
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：SOT23-3
- 类型：N—Channel沟道
- 额定电压：30V
- 额定电流：6.5A
- 开关电阻：RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V
- 门阈电压：Vth=1.2~2.2V

- **封装：** SOT23-3

**详细参数说明：**

MI3400A-VB是一款N-Channel沟道MOSFET，其额定电压为30V，额定电流为6.5A。在典型工作条件下，开关电阻为30mΩ，门阈电压为1.2~2.2V。该器件采用SOT23-3封装，适用于多种电路设计。

**应用简介：**

MI3400A-VB适用于需要高效能量开关的应用，尤其是在低电压、高电流环境中。其低开关电阻和高额定电流使其成为各种电源管理和开关电源应用的理想选择。

**适用领域和模块：**

1. **电源管理模块：** 由于其低开关电阻和高额定电流，MI3400A-VB常用于电源管理模块，包括稳压器和开关电源。

2. **电池管理：** 在需要高效能耗和紧凑尺寸的电池管理系统中，该器件可用于电池充电和放电控制。

3. **DC-DC 变换器：** 适用于DC-DC变换器，用于提高电源系统的效率。

总的来说，MI3400A-VB在需要高性能N-Channel MOSFET的电路设计中具有广泛的应用，特别适用于要求高效能量开关的领域。