产品型号：MI3400-VB
品牌：VBsemi
封装：SOT23-3
丝印：VB1330
参数：
- 沟道类型：N—Channel
- 最大工作电压：30V
- 最大持续电流：6.5A
- 开态电阻：RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth = 1.2~2.2V

**详细参数说明：**
MI3400-VB是一款N-Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23-3封装。其最大工作电压为30V，最大持续电流为6.5A，具有低开态电阻，RDS(ON)为30mΩ，当Gate-Source电压为10V或20V时。阈值电压（Vth）在1.2~2.2V范围内。丝印上标注为VB1330。

**应用简介：**
MI3400-VB适用于多种电子领域，特别是在以下模块和应用中发挥重要作用：
1. **电源模块：** 由于其低开态电阻和适中的电压容限，MI3400-VB常被用于电源开关模块，提供高效率和可靠性。

2. **驱动电路：** 作为N-Channel MOSFET，MI3400-VB可以用于各种驱动电路，例如马达控制、LED驱动等，以其高电流承载能力和低导通电阻提高系统效能。

3. **电源管理：** 在电源管理领域，MI3400-VB常用于开关电源、稳压器等电路，以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。

4. **消费电子产品：** 在手机、平板电脑等消费电子产品中，MI3400-VB可用于功率放大器、充电管理等电路，以确保设备性能和电池寿命。

5. **自动控制系统：** 由于其高电流承载能力和可靠性，MI3400-VB也适用于各种自动控制系统，如工业自动化、机器人等。

总体而言，MI3400-VB作为一款N-Channel MOSFET，广泛应用于电源管理、电子驱动、消费电子等领域，为各种模块提供高效、可靠的电子元件支持。