ME2316-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管，具有以下特性：

- 参数：
- 封装：SOT23-3
- 工作电压：30V
- 最大连续漏电流：6.5A
- 导通电阻：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：1.2~2.2V

该器件适用于SOT23-3封装，常用于电子模块中，特别是对于需要N沟道场效应晶体管的电路和模块。在电源管理、驱动器、电流控制等领域中有广泛应用。