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IM3400-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
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**VBsemi IM3400-VB N-Channel MOSFET**

- **详细参数说明:**
- 工作电压:30V
- 连续漏极电流:6.5A
- 开态电阻 (RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth):1.2~2.2V

- **封装:** SOT23-3

- **应用简介:**
- IM3400-VB是VBsemi品牌推出的N-Channel沟道MOSFET,设计用于满足高性能电子应用的要求。
- 出色的电流和电压特性使其在多种电路中表现卓越。

- **应用领域:**
1. **电源管理模块:** 适用于电源转换器和电源管理系统,提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **驱动电路:** 在驱动电路中,可用于控制信号,实现快速可靠的开关操作。
3. **LED照明系统:** 用于LED驱动电路,实现对LED的精确控制和调光。

该MOSFET广泛应用于电源管理、驱动电路和LED照明系统等领域,为各种电子系统提供高效、可靠的性能。

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