**VBsemi MEM2310M3G-VB N-Channel MOSFET**

- **详细参数说明：**
- 工作电压：30V
- 连续漏极电流：6.5A
- 开态电阻 (RDS(ON))：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth)：1.2~2.2V

- **封装：** SOT23-3

- **应用简介：**
- MEM2310M3G-VB是VBsemi品牌推出的N-Channel沟道MOSFET，专为高性能电子系统设计。
- 优越的电流和电压特性使其成为各种电路中的理想选择。

- **应用领域：**
1. **电源转换器：** 适用于电源模块，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电源管理系统：** 在需要高性能电源管理的应用中，如便携设备和嵌入式系统。
3. **通信设备：** 用于电流控制和开关操作，提高通信设备的性能。

该MOSFET可广泛应用于电源转换器、电源管理系统和通信设备等领域，为电子系统提供高效、稳定的电源和可靠的开关控制。