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SSM3K33R-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
**VBsemi SSM3K33R-VB N-Channel MOSFET**

- **详细参数说明:**
- 工作电压:30V
- 连续漏极电流:6.5A
- 开态电阻 (RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth):1.2~2.2V

- **封装:** SOT23-3

- **应用简介:**
- SSM3K33R-VB是一款N-Channel沟道MOSFET,由VBsemi品牌生产。其设计旨在满足高性能电子应用的需求。
- 优越的电流和电压特性使其在各种电路中表现卓越。

- **应用领域:**
1. **电源管理模块:** 适用于电源开关模块,提供高效的电能转换。
2. **电机驱动:** 在电机控制电路中,可用于实现可靠的电流控制和高效的电机驱动。
3. **LED照明系统:** 用于LED驱动电路,实现对LED的精确控制和调光。

该MOSFET广泛应用于需要高性能、可靠性和效率的领域,包括电源管理、电机控制和照明系统。

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