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2318GEN-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
2318GEN-VB 是VBsemi 品牌的N沟道场效应晶体管,采用 SOT23-3 封装。以下是详细参数说明和应用简介:

- 参数:
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- RDS(ON):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V

- 封装:SOT23-3

应用简介:
2318GEN-VB 适用于需要高性能 N 沟道场效应晶体管的电子应用。其设计使其在各种领域和模块中发挥关键作用。

应用领域:
1. **电源管理模块:** 用于开关电源、稳压器和其他电源管理电路。
2. **驱动电路:** 作为电机驱动和其他功率驱动电路的重要组件。
3. **LED 驱动:** 在 LED 照明系统中,可用于控制 LED 的电流。

这款晶体管适用于需要可靠功率控制和开关功能的应用,为电源管理、驱动电路和 LED 照明等领域提供高性能的解决方案。

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