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K2009-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
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型号:K2009-VB

丝印:VB1330

品牌:VBsemi

参数:

- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:N—Channel
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- 开态电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V

封装:SOT23-3

详细参数说明和应用简介:

K2009-VB是一款N-沟道类型的晶体管,封装采用SOT23-3。其额定电压为30V,额定电流为6.5A,具有优异的开态电阻性能,RDS(ON)为30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。阈值电压Vth在1.2~2.2V范围内。

应用领域:

1. **电源模块:** 适用于电源模块,能够提供可靠的功率开关控制,用于电源管理和稳压应用。

2. **电流控制模块:** 适用于需要对电流进行精确控制的电路,如电机驱动、电源管理等领域。

3. **低压开关模块:** 由于其低阈值电压和低开态电阻,可在低压条件下实现高效的开关控制,适用于各种低压开关模块。

4. **LED驱动模块:** 在LED驱动电路中,K2009-VB可以用于实现电流控制,确保LED工作在稳定的电流下,提高照明系统的效率和稳定性。

总体而言,K2009-VB适用于需要N-沟道晶体管的各种电子应用,特别是在电源管理、电流控制、低压开关和LED驱动等领域有着广泛的应用。

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