型号：WNM3400-3-TR-VB

丝印：VB1330

品牌：VBsemi

参数：

- 封装类型：SOT23-3
- 沟道类型：N—Channel
- 额定电压：30V
- 额定电流：6.5A
- 开态电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V

封装：SOT23-3

详细参数说明和应用简介：

WNM3400-3-TR-VB是一款N-沟道类型的晶体管，封装采用SOT23-3。其额定电压为30V，额定电流为6.5A，具有优异的开态电阻性能，RDS(ON)为30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。阈值电压Vth在1.2~2.2V范围内。

应用领域：

1. **电源模块：** 适用于电源模块，能够提供可靠的功率开关控制，用于电源管理和稳压应用。

2. **电流控制模块：** 适用于需要对电流进行精确控制的电路，如电机驱动、电源管理等领域。

3. **低压开关模块：** 由于其低阈值电压和低开态电阻，可在低压条件下实现高效的开关控制，适用于各种低压开关模块。

4. **LED驱动模块：** 在LED驱动电路中，WNM3400-3-TR-VB可以用于实现电流控制，确保LED工作在稳定的电流下，提高照明系统的效率和稳定性。

总体而言，WNM3400-3-TR-VB适用于需要N-沟道晶体管的各种电子应用，特别是在电源管理、电流控制、低压开关和LED驱动等领域有着广泛的应用。