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UT3416G-AE3-R-VB一款SOT23-3封装的N—MOS管Datasheet参数视频讲解
VBsemi UT3416G-AE3-R-VB是一款SOT23-3封装的N—Channel沟道场效应晶体管,适用于多种电子应用。以下是该产品的详细参数说明和应用简介:

- **参数说明:**
- 封装类型: SOT23-3
- 沟道类型: N—Channel
- 额定电压: 30V
- 额定电流: 6.5A
- 导通电阻 (RDS(ON)): 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): 1.2~2.2V

- **应用简介:**
UT3416G-AE3-R-VB可广泛应用于不同的电子领域,具有以下主要应用特点:
- DC-DC转换器
- 电源开关
- 电机驱动
- 电源管理模块

- **领域和模块应用:**
- **DC-DC转换器:** 适用于直流-直流转换器,实现有效的能量转换。
- **电源开关:** 用于电源开关模块,实现电源的开关控制。
- **电机驱动:** 适用于电机驱动电路,实现电机的高效控制。
- **电源管理模块:** 用于各种电源管理模块,确保设备获得稳定的电源供应。

这些参数和应用信息有助于工程师在设计中选择适当的元件,以满足其特定应用领域的需求。

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