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N0302P-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
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产品型号: N0302P-VB
丝印: VB2355
品牌: VBsemi
参数:
- 封装类型: SOT23-3
- 沟道类型: P—Channel
- 最大漏极电压: -30V
- 最大漏极电流: -5.6A
- 开启电阻: RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1V

应用简介:
N0302P-VB是一款P—Channel沟道的SOT23-3封装场效应晶体管。其特点包括在VGS=10V和VGS=20V时的低漏电阻,适用于需要P—Channel沟道场效应晶体管的电路。

主要应用领域:
该产品适用于各种电子设备和模块,特别是在需要P—Channel沟道场效应晶体管的电路中。常见应用领域包括功率放大器、开关电源、电源管理等。

请注意: 在使用该产品时,请仔细阅读其数据手册以确保正确的使用和应用。

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