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2321GN-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
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**2321GN-VB 产品详细参数说明:**

- **产品名称:** 2321GN-VB
- **丝印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOT23-3
- **参数:**
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-30V
- 最大电流:-5.6A
- 开态电阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V

**应用简介:**

2321GN-VB 是 VBsemi 生产的 P-Channel 沟道场效应晶体管,采用 SOT23-3 封装。该器件旨在提供高性能的功率开关解决方案,适用于多种电子应用。

**领域和模块应用:**

1. **电源管理模块:**
- 适用于电源管理模块,可实现有效的电源开关控制,提供紧凑的 SOT23-3 封装,方便集成在小型电源电路中。

2. **低电压电子设备:**
- 由于其低阈值电压和低开态电阻,2321GN-VB 适用于低电压电子设备,可提供可靠的电源控制。

3. **电流控制模块:**
- 具有高电流承受能力和低开态电阻,适用于电流控制模块,提供高效的电流调节。

4. **汽车电子系统:**
- 在汽车电子系统中,2321GN-VB 的高性能特性使其成为电源管理和控制的理想选择。

5. **LED 驱动器:**
- 用于 LED 驱动器,通过精确的功率控制,支持 LED 照明系统的稳定和高效工作。

请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件前,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性。

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