**VBsemi RQJ0304DQDQATL-E-VB**

- **参数说明：**
- 封装类型：SOT23-3
- 沟道类型：P—Channel
- 最大耐压：-30V
- 最大电流：-5.6A
- 开启电压（门源电压）：Vth=-1V
- 开启电阻：RDS(ON)=47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- **应用简介：**
- **SOT23-3封装：** 小型、适用于紧凑空间的电子应用。
- **P—Channel设计：** 适用于需要P型场效应晶体管的电路。
- **低电压、高电流：** 适用于要求较大电流的低电压电源和功率管理应用。
- **低开启电阻：** 提供较低的导通电阻，适用于要求高效能的电路。

- **领域和模块应用：**
- **电源管理模块：** 由于其P—Channel设计和较大电流能力，可用于低电压电源管理模块。
- **功率放大器：** 适用于需要P型场效应晶体管的功率放大器电路。
- **DC-DC转换器：** 用于构建高效率、低电压的DC-DC转换器。
- **电流控制应用：** 由于其低开启电阻，可用于电流控制电路。

这款VBsemi RQJ0304DQDQATL-E-VB场效应晶体管适用于多种电源管理和功率控制应用，特别是对低电压和高电流要求较高的场景。