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TM3401FN-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
VBsemi TM3401FN-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,以下是详细参数说明和应用简介:

- **电压规格:** -30V
- **电流规格:** -5.6A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压(Vth):** -1V

**封装:** SOT23-3

**应用简介:**
TM3401FN-VB是一种适用于低压应用的P-Channel MOSFET。其低导通电阻和高电流特性使其在多种电子设备中得到广泛应用。

**主要特点:**
1. **低导通电阻:** RDS(ON)仅为47mΩ,有效降低导通时的功耗。
2. **宽电压范围:** -30V的电压规格使其适用于各种低压电路。
3. **高电流能力:** -5.6A的电流规格使其能够驱动高功率负载。

**应用领域:**
1. **电源管理:** 用于电池管理、DC-DC转换器等电源管理模块。
2. **电机驱动:** 可用于小型电机的驱动电路。
3. **LED照明:** 在LED照明控制电路中起到开关和调节的作用。

**模块应用:**
1. **电源模块:** 可集成到各种电源模块中,提高效率和性能。
2. **电机驱动模块:** 用于小型电机的驱动控制模块。
3. **LED控制模块:** 在LED照明系统中用于调光和开关控制。

总体而言,TM3401FN-VB适用于需要P-Channel MOSFET的低压、高电流应用,如电源管理、电机驱动和LED照明等领域。

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