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NAS3401NRG-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
**VBsemi NAS3401NRG-VB**

- **参数说明:**
- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 最大耐压:-30V
- 最大电流:-5.6A
- 开启电压(门源电压):Vth=-1V
- 开启电阻:RDS(ON)=47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- **应用简介:**
- **SOT23-3封装:** 小型、适用于紧凑空间的电子应用。
- **P—Channel设计:** 适用于需要P型场效应晶体管的电路。
- **低电压、高电流:** 适用于要求较大电流的低电压电源和功率管理应用。
- **低开启电阻:** 提供较低的导通电阻,适用于要求高效能的电路。

- **领域和模块应用:**
- **电源管理模块:** 由于其P—Channel设计和较大电流能力,可用于低电压电源管理模块。
- **功率放大器:** 适用于需要P型场效应晶体管的功率放大器电路。
- **DC-DC转换器:** 用于构建高效率、低电压的DC-DC转换器。
- **电流控制应用:** 由于其低开启电阻,可用于电流控制电路。

这款VBsemi NAS3401NRG-VB场效应晶体管适用于多种电源管理和功率控制应用,特别是对低电压和高电流要求较高的场景。

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