产品型号: SI2303ADS-T1-GE3-VB

丝印: VB2355

品牌: VBsemi

参数:
- 封装: SOT23-3
- 沟道类型: P—Channel
- 额定电压: -30V
- 最大电流: -5.6A
- 静态导通电阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1V

封装: SOT23-3

应用简介:
SI2303ADS-T1-GE3-VB是一款P—Channel沟道的SOT23-3封装场效应管，具有卓越的电性能。主要应用于电源管理模块和需要P—Channel沟道的电路设计，以实现高效的功耗控制和电源管理。

领域和模块应用:
1. **电源管理模块：** 适用于电源管理模块中的负载开关，通过其P—Channel沟道特性，有助于提高系统的能效和稳定性。
2. **无线通信模块：** 在需要进行负载开关的无线通信模块中应用广泛，有助于优化电路性能和降低功耗。

通过使用SI2303ADS-T1-GE3-VB，可以在这些领域中实现可靠的电源控制和电路性能的提升。