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CES2307A-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
产品型号: CES2307A-VB

丝印: VB2355

品牌: VBsemi

参数:
- 封装: SOT23-3
- 沟道类型: P—Channel
- 额定电压: -30V
- 最大电流: -5.6A
- 静态导通电阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1V

封装: SOT23-3

应用简介:
CES2307A-VB是一款P—Channel沟道的SOT23-3封装场效应管,适用于多种电路设计,提供可靠的性能。主要用于电源管理模块和需要P—Channel沟道的电路中,以实现高效的功耗控制和稳定的电源管理。

领域和模块应用:
1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel沟道特性和低导通电阻,适用于电源管理模块中的负载开关,有助于提高系统的能效和稳定性。
2. **电子设备:** 适用于对功耗和性能有高要求的电子设备,例如便携式设备、消费电子产品等,可实现电路的高效能和低功耗。

通过采用CES2307A-VB,可以在这些领域中实现可靠的电源控制和电路性能提升。

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