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DMG3407SSN-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
DMG3407SSN-VB是VBsemi品牌的P-Channel MOSFET,以下是详细参数说明和应用简介:

- **参数说明:**
- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P-Channel
- 额定电压:-30V
- 最大电流:-5.6A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):47mΩ(在VGS=10V, VGS=20V时)
- 阈值电压(Vth):-1V

- **应用简介:**
- DMG3407SSN-VB主要用于电源管理和开关电源应用。
- 由于其P-Channel沟道特性,它可以在一些负载开关和功率逆变器中发挥作用。

- **领域和模块应用:**
1. **电源管理模块:** DMG3407SSN-VB可应用于电源管理模块,用于电池充电和放电保护等功能。
2. **开关电源:** 由于其较高的电流和低漏电阻,可用于开关电源中,如DC-DC转换器和开关模式电源。

这款器件适用于需要P-Channel MOSFET的电源电子应用中,例如便携式电子设备、电池管理系统、电源逆变器等。

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