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2329GN-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
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VBsemi 2329GN-VB是一款P-Channel沟道场效应晶体管,具有以下参数:

- 额定电压(VDS):-30V
- 额定电流(ID):-5.6A
- 静态电阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V

封装为SOT23-3。该器件适用于SOT23-3封装。

**应用简介:**
这款晶体管适用于各种电源管理和开关电路应用。由于其P-Channel设计,可在负电压环境下工作,使其在特定电源设计中非常有用。

**领域和模块应用:**
1. **电源管理模块:** 2329GN-VB可用于电源开关和调节电路,确保高效能耗和稳定的电源输出。
2. **开关电路:** 适用于各种开关电路,例如开关模式电源(SMPS)和直流-直流(DC-DC)转换器。
3. **电流控制模块:** 在需要对电流进行精确控制的应用中,例如电机驱动和电流限制器。
4. **电池管理系统:** 可用于充电和放电控制,延长电池寿命。

请注意,具体的应用和模块选择取决于具体的电路设计和性能要求。

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