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MI3403-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
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MI3403-VB是VBsemi品牌的P-Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23-3封装。以下是详细参数和应用简介:

- **参数说明:**
- 最大耐压:-30V
- 最大漏极电流:-5.6A
- 开态漏极-源极电阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V

- **应用简介:**
- **电源管理:** 适用于低压降、高效率的电源管理电路。
- **功率放大:** 可用于放大器和功率放大模块。
- **开关电源:** 用于设计开关电源和DC-DC转换器。

- **领域和模块应用:**
- **电源模块:** 由于其低漏极电阻和高耐压特性,适用于电源模块设计,提高效率。
- **驱动模块:** 用于电机驱动和其他需要高效率功率放大的应用。
- **开关电源控制:** 在开关电源中用于实现稳定的电流和电压控制。

MI3403-VB适用于需要P-Channel MOSFET的各种应用领域,提供高性能和可靠性。

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