型号: SSM2309GN-VB

丝印: VB2355

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: SOT23-3
- 沟道类型: P-Channel
- 额定电压: -30V
- 额定电流: -5.6A
- 开态电阻: RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1V

应用简介:
SSM2309GN-VB是一款SOT23-3封装的P-Channel MOSFET，具有-30V额定电压和-5.6A额定电流。其低开态电阻（47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V）和适度的阈值电压（-1V）使其适用于多种电源管理、功率开关和放大应用。

详细参数说明:
1. **沟道类型：** P-Channel MOSFET，适用于带负载开关和功率放大器的电路设计。
2. **额定电压：** -30V，适用于不同电源电压的应用。
3. **额定电流：** -5.6A，适用于中等功率要求的电路。
4. **开态电阻：** RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，低导通电阻确保高效率的电源转换。
5. **阈值电压：** Vth = -1V，提供可靠的开关特性。

应用领域:
SSM2309GN-VB适用于以下领域：
1. **音频放大器：** 作为功率放大器的输出级驱动器，用于音频放大应用。
2. **电源管理模块：** 用于构建紧凑、高效的电源管理模块。
3. **功率开关器件：** 作为功率开关器件，可在电源转换和放大器设计中使用。

该器件可在这些领域中提供可靠的性能，有助于优化电路设计并提高系统效率。