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MTP3403N3-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
MTP3403N3-VB 是 VBsemi 公司生产的 SOT23-3 封装的 P-Channel 沟道场效应晶体管。以下是详细的参数说明和应用简介:

- **参数说明:**
- **封装类型:** SOT23-3
- **沟道类型:** P-Channel
- **最大承受电压:** -30V
- **最大漏电流:** -5.6A
- **导通电阻:** RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压:** Vth = -1V

- **应用简介:**
- 适用于需要 P-Channel 沟道场效应晶体管的电路和模块设计。
- 常用于要求较低漏电流、低导通电阻以及较高开关速度的电源管理和放大电路。

- **领域和模块应用:**
- **电源管理模块:** 由于其 P-Channel 特性和低导通电阻,在电源管理模块中可以用于开关电源、电池管理等。
- **放大电路:** 适用于需要 P-Channel 沟道晶体管的放大电路设计,如放大器和接口电路。

这款器件可在需要 P-Channel 沟道晶体管的各种电子设备和电路中发挥作用,提供高性能和可靠性。

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