型号: CPH3314-TL-E-VB
丝印: VB2355
品牌: VBsemi
封装: SOT23-3

**详细参数说明:**
- 极性: P—Channel
- 最大漏电压(Vds): -30V
- 最大漏电流(Id): -5.6A
- 开启态漏电阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1V

**应用简介:**
CPH3314-TL-E-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管，采用SOT23-3封装。该器件在负30V的最大漏电压条件下，具有负5.6A的最大漏电流能力，并在不同门源电压下表现出47mΩ的低开启态漏电阻。其阈值电压为负1V。

**应用领域:**
由于CPH3314-TL-E-VB的性能参数，它可能在以下领域得到广泛应用：

1. **电源管理模块:** 适用于电源开关电路，如开关电源、电源适配器和电池管理。

2. **电流控制模块:** 可用于电流调节器和电流限制器，确保电流稳定和可控。

3. **信号放大模块:** 由于其P—Channel极性，适用于需要P—Channel MOSFET的信号放大电路。

4. **电源逆变器:** 在需要逆变功能的电源逆变器中，CPH3314-TL-E-VB可以用于控制电源的开关和反相。

这些应用场景仅为示例，具体使用取决于系统设计的要求和性能参数的匹配。