产品型号: SSM2303N-VB

丝印: VB2355

品牌: VBsemi

**参数:**
- 封装: SOT23-3
- 类型: P—Channel沟道
- 额定电压: -30V
- 额定电流: -5.6A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): -1V

**封装:**
- 封装类型: SOT23-3

**详细参数说明和应用简介:**
SSM2303N-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管，采用SOT23-3封装。其主要参数包括额定电压为-30V，额定电流为-5.6A，静态导通电阻为47mΩ（在VGS=10V, VGS=20V时），阈值电压为-1V。

**应用领域:**
该产品适用于多种需要P—Channel场效应晶体管的电子设备和模块。由于其在低电压和低电流条件下的性能优越，特别适用于要求高效能和节能的应用场合。

**典型应用模块:**
1. **音频放大模块:** 由于其P—Channel沟道特性，可用于音频放大电路中，提供高保真度的音频放大功能。
2. **功率放大模块:** 适用于一些功率放大电路，可用于提供电源开关和放大信号。
3. **电源管理模块:** 由于其低导通电阻和高额定电流，可用于电源开关电路，提高电源管理的效率。

请注意，具体的应用和模块选择应基于电路设计的要求和规格。在集成电路设计中，确保符合产品规格并满足设备性能要求。