**UTR4502G-AE3-R-VB**

- **丝印：** VB2355
- **品牌：** VBsemi
- **封装：** SOT23-3

**参数：**
- **沟道类型：** P—Channel
- **最大漏极电压（VDS）：** -30V
- **最大漏极电流（ID）：** -5.6A
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压（Vth）：** -1V

**应用简介：**
UTR4502G-AE3-R-VB是一款P-Channel沟道MOSFET，具有适用于多种应用的卓越特性。以下是其详细参数说明和应用简介：

1. **电源模块：** 适用于设计高效的电源模块，提供稳定的电源输出。

2. **电池管理：** 在电池保护电路中使用，管理电池的充放电，提高电池寿命和安全性。

3. **开关电源：** 可用于开关电源和开关电路，实现功率转换和电能控制。

4. **照明控制：** 用于LED照明系统，实现亮度调节和电源控制。

5. **电流控制模块：** 适用于需要精确电流控制的电路模块设计。

6. **电源开关：** 作为电源开关元件，用于电源输入和输出的高效控制。

**注意：** 在具体设计中，请根据应用场景和电路参数仔细选择工作条件和外部元件，确保符合设计要求，以实现最佳性能和稳定性。