型号: DMP2100U-VB

丝印: VB2355

品牌: VBsemi

**参数:**
- 封装类型: SOT23-3
- 沟道类型: P-Channel
- 最大工作电压: -30V
- 最大连续漏极电流: -5.6A
- 开启电阻 (RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): -1V

**应用简介:**
DMP2100U-VB是一款P-Channel沟道的SOT23-3封装型MOSFET。其设计旨在提供高性能和可靠性，适用于多种应用场景。以下是该产品的主要特性和应用简介：

1. **电源管理模块:** 由于其P-Channel MOSFET的特性，DMP2100U-VB适用于电源管理模块，包括电源开关、逆变器和稳压器等应用。其低导通电阻和高漏极电流使其成为有效能量转换的理想选择。

2. **电池保护电路:** 在需要P-Channel MOSFET用于电池保护的应用中，DMP2100U-VB可用于电池过充和过放保护电路，确保电池处于安全工作范围内。

3. **DC-DC转换器:** 由于其在-30V工作电压下的性能，DMP2100U-VB可用于DC-DC转换器，提供高效的能量转换，适用于移动设备和电源适配器等领域。

请注意，以上是一般的参数说明和应用简介，具体的应用和模块设计仍需根据具体的电路要求进行详细的工程分析和设计。