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AP2317GN-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
**AP2317GN-VB**

- **丝印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 工作电压:-30V
- 连续漏极电流:-5.6A
- 导通电阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=-1V
- **应用简介:**
AP2317GN-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,适用于多种电源管理和开关电源应用。其低导通电阻、高漏极电流和低阈值电压使其成为高效能、可靠性强的选择。

- **应用领域:**
1. **电源管理系统:** 适用于电源开关、稳压器和DC-DC转换器。
2. **电池管理:** 可用于充电和放电控制。
3. **电源逆变器:** 在逆变器电路中发挥重要作用。
4. **模块化电源设计:** 适用于各种模块化电源系统。

- **封装:** SOT23-3

该器件的特性使其在上述领域中起到关键作用,提供高效的电源管理和开关电源解决方案。

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