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NTR3162PT3G-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:NTR3162PT3G-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi
封装:SOT23-3

**详细参数说明:**
- 沟道类型:P—Channel
- 最大承受电压:-30V
- 最大电流:-5.6A
- 开态电阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V

**应用简介:**
NTR3162PT3G-VB是一款SOT23-3封装的P—Channel沟道场效应晶体管。具有优异的电气性能,适用于多种应用场景。

**应用领域:**
1. **电源管理:** 由于其负载能力和低电阻特性,适用于电源开关和管理电路。
2. **电流控制模块:** 可用于设计电流控制模块,确保精确的电流输出。
3. **功率逆变器:** 在功率逆变器中可作为关键组件,提供高效的电能转换。

**特色功能:**
- 优异的负载承受能力。
- 低电阻设计,提高效率。
- 适用于各种电源管理和电流控制应用。

**注意事项:**
在设计中,请根据实际应用场景和电路需求合理配置工作参数。阅读产品数据手册以获取详细的电性能曲线和工作条件。

以上信息仅为参考,具体的电路设计和应用需根据实际情况进行调整。

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