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KFA-VB一款SOT23-3封装的P—MOS管Datasheet参数视频讲解
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型号: KFA-VB
丝印: VB2355
品牌: VBsemi
封装: SOT23-3

**详细参数说明:**
- 极性: P—Channel
- 最大漏电压(Vds): -30V
- 最大漏电流(Id): -5.6A
- 开启态漏电阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1V

**应用简介:**
KFA-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管,适用于SOT23-3封装。其主要特性包括负30V的最大漏电压、负5.6A的最大漏电流以及在不同门源电压下的低开启态漏电阻。该器件的阈值电压为负1V。

**应用领域:**
该产品适用于各种需要P—Channel沟道场效应晶体管的电子应用领域。由于其性能特点,它可能在以下领域得到广泛应用:

1. **电源管理模块:** 由于器件具有较低的开启态漏电阻和适中的漏电流能力,可用于电源开关和调节电路中。

2. **电流控制模块:** 适用于需要可控制电流的电子系统,如电流源和电流调节器。

3. **信号放大模块:** 由于其P—Channel极性,适用于一些特殊的信号放大电路。

4. **驱动器和开关模块:** 在需要P—Channel MOSFET的开关电路和驱动器中发挥作用,实现电路的开关和驱动功能。

这些应用场景仅为示例,具体使用取决于系统设计的要求和性能参数的匹配。

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