型号：SSM3J331R-VB

丝印：VB2355

品牌：VBsemi

参数：
- 封装：SOT23-3
- 沟道类型：P—Channel
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-5.6A
- 静态开态电阻 (RDS(ON))：47mΩ (在VGS=10V, VGS=20V时)
- 阈值电压 (Vth)：-1V

封装：SOT23-3

**详细参数说明：**
1. **沟道类型：** P-Channel沟道，适用于P-Channel MOSFET，用于负责电流流经沟道的部分。
2. **额定电压：** -30V，表示MOSFET在正常工作条件下的最大电压。
3. **最大电流：** -5.6A，表示MOSFET能够承受的最大电流。
4. **静态开态电阻 (RDS(ON))：** 47mΩ，表示MOSFET在导通状态下的电阻。
5. **阈值电压 (Vth)：** -1V，表示MOSFET从关闭到开启的电压阈值。

**应用简介：**
SSM3J331R-VB是一款P-Channel MOSFET，适用于需要负责负载开关的电路。其低静态开态电阻和高额定电流使其特别适用于功率开关应用。

**应用领域：**
1. **电源管理：** 可用于电源开关模块，例如直流-直流转换器 (DC-DC Converter)。
2. **电流控制：** 适用于需要电流控制的电路，如电流源。
3. **电机驱动：** 在电机控制电路中可以用作电机的功率开关器件。

**模块应用：**
1. **电源模块：** 用于直流电源开关模块，确保有效的电源管理。
2. **驱动模块：** 可用于驱动模块，控制电流和功率传递。
3. **开关模块：** 适用于各种开关电路，如开关电源、逆变器等。

总体而言，SSM3J331R-VB是一款多功能的P-Channel MOSFET，适用于多种功率电子应用，具有较低的导通电阻和高的电流承受能力。