**VBsemi SSM2305GN-VB**

- **参数说明:**
- 类型: P—Channel MOSFET
- 额定电压（V_DS）: -30V
- 额定电流（I_D): -5.6A
- 静态电阻（RDS(ON)）: 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth): -1V

- **封装:**
- 类型: SOT23-3

- **应用简介:**
- 高性能P—Channel MOSFET，设计用于要求高功率密度和低导通电阻的应用。

- **领域应用:**
- 电源管理模块
- 电池保护电路
- 电机驱动器
- DC-DC转换器

- **特色:**
- 优异的导通特性
- 适用于高功率密度设计
- SOT23-3封装适用于小型电子设备

*注意: 以上信息仅供参考，具体应用需要根据系统要求和设计考虑。*